介电层/半导体层界面状态对器件性能有重要影响
作者：admin 发布时间：2013-01-07 查看：次
在有机场效应晶体管(OFET)中，介电层/半导体层界面状态对器件性能有重要影响。在目前OFET的界面研究中，诸多界面参数的计算和测量都是基于统计平均的方法。表面能作为一个重要的介电层/半导体界面影响因素，其均匀程度对器件性能的影响在此前的界面研究中长期被忽视，而对表面能非均性这一关键因素考量的缺失，也正是界面研究中众多争议产生的主要根源之一。在对介电层表面能非均匀性引起的一系列实验现象进行充分研究的基础上，通过实验证明了表面能非均匀性对有机场效应晶体管性能影响的广泛性，并且发现了表面能非均匀程度和有机场效应晶体管迁移率之间存在一种线性反比关系。
通过利用介电层表面能非均匀性对有机半导体层生长形貌进行控制和优化，制备出空穴迁移率高达3.6cm2/Vs的并五苯场效应晶体管，这是国际上已报道的并五苯柔性薄膜器件的最优结果之一。在这一高性能晶体管基础上，制备了高性能柔性环形振荡器，振荡频率超过1 kHz。
将沉淀超细二氧化硅在100~150℃时，孔隙中的自由水首先失去。150~200℃时曲线趋向平缓，200~250℃时失去水分，为通过氢键与硅醇键结合的吸附水。250~700℃时又是一段平缓线，而在700~900℃时，在Sio2两个硅醇基间脱去结构水，且形成Si—O—Si键。在900℃以上的硅醇基功能团仍然存在。
若将在不同温度下达热失重平衡的沉淀二氧化硅再暴露于水蒸气中时，则能发生重新发生水合作用。但随原加热的温度的升高，重新水合作用极具减小。
